m半导体泵模808n度亘核芯单球抢先内空白,全浦源填补国

度亘核芯根据自主开发的全球抢先高功率 、高功率 、度亘单模高牢靠性的核芯单模808nm  。半导体 。半导激光芯片,体泵填补推出世界抢先的浦源高性能蝶形光纤耦合模块 。,国内率先在国内完成产业化打破,空白填补了国内空白。全球抢先


使用布景 。度亘单模

单模高性能808nm泵浦光,核芯为紧凑型光纤激光器供给牢靠中心动力 。半导作为掺钕增益介质(如Nd:YAG 、体泵填补Nd:YVO₄)的浦源首选泵浦波长 ,808nm单模泵浦源在飞秒激光振荡器 、国内双光子激起显微成像等前沿研讨范畴使用广泛。别的 ,因其极佳的频率稳定性和低噪声特性,广泛使用于深空勘探中的干涉仪 、超。高精度 。激光测距等很多顶级科学研讨范畴 。


单模808nm泵浦源凭仗其杰出的光束质量与体系牢靠性保证,已成为高端激光体系的中心组件 。度亘核芯在单模激光芯片与模块范畴深耕细研,推出系列高功率、高牢靠的单模产品 ,为前沿科学研讨 、光。通讯  。、工业加工及 。智能。感知体系等供给中心泵浦动力 。


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立异成果与打破 。

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单模高功率808nm半导体激光芯片和光纤耦合模块。



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高功率输出 :经过精细化的外延结构规划与低应力工艺制备 ,完成了芯片输出功率最高打破 。1200mW  。  ,耦合 。模块输出功率最高超越 。600mW。

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高功率 :芯片最高电光转化功率到达 。55%。 ,在700mW作业条件下 ,电光转化功率仍然保持在。53% 。;模块400mW作业条件下,电光转化功率。超越34%。

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高牢靠性 :针对808nm单模激光芯片功率阑珊这一痛点问题  ,选用打破性的芯片与器材结构规划以及工艺优化,大幅改进了功率阑珊现象 ,在700mW的作业条件下,保证了芯片的牢靠作业 。

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图1 单模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲线。


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图2 光纤耦合模块特性曲线。

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图3 不同。电流 。对应光谱图。


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产品规格 。

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关于度亘 。



度亘核芯以高端激光芯片的规划与制作为中心竞争力 ,聚集。光电。产业链上游 ,具有掩盖化合物半导体激光器芯片规划  、外延成长、器材工艺、。芯片封装。 、测验表征 、牢靠性验证以及功能模块等全套工程技术才能和量产制作才能 ,专心于高性能 、高功率、高牢靠性光电芯片及器材的规划 、研制和制作,产品广泛使用于工业加工、智能感知、光通讯、医疗健康和科学研讨等范畴,努力打造具有世界职业位置的产品研制 。中心。和出产制作商 。